RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Compara
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB vs Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Puntuación global
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Puntuación global
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
14.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
59
En -136% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.7
1,855.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
5300
En 3.62 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
59
25
Velocidad de lectura, GB/s
4,168.0
14.5
Velocidad de escritura, GB/s
1,855.7
10.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
19200
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
680
2620
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Qimonda 72T256521EFD3SC2 2GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 9905702-400.A00G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Crucial Technology BL32G32C16U4R.M16FB1 32GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDD2 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 9905703-008.A00G 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston XJV223-MIE-NX 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Apacer Technology GD2.1527WE.001 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BBFS 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FJ 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link