RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Compara
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Puntuación global
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Puntuación global
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
20.1
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
56
59
En -5% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.5
1,855.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
5300
En 3.62 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
59
56
Velocidad de lectura, GB/s
4,168.0
20.1
Velocidad de escritura, GB/s
1,855.7
10.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
19200
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
680
2455
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Qimonda 72T256521EFD3SC2 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Essencore Limited IM48GS88N26-JJJHA0 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Kingston KCRXJ6-HYJ 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
King Tiger Technology Tigo-2133Mhz-8G 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Kingston KHX2400C14D4/16G 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Corsair CMK32GX4M2Z4000C18 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Kingston 9905701-017.A00G 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link