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Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB

Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB

Puntuación global
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Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB

Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB

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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB

Diferencias Especificaciones Comentarios

Diferencias

Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB Razones a tener en cuenta
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Informar de un error
  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    4 left arrow 18.7
    Valor medio en las pruebas
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB Razones a tener en cuenta
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Informar de un error
  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    19 left arrow 59
    En -211% menor latencia
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    14.2 left arrow 1,855.7
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    19200 left arrow 5300
    En 3.62 mayor ancho de banda

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latencia en PassMark, ns
    59 left arrow 19
  • Velocidad de lectura, GB/s
    4,168.0 left arrow 18.7
  • Velocidad de escritura, GB/s
    1,855.7 left arrow 14.2
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    5300 left arrow 19200
Other
  • Descripción
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    680 left arrow 3220

Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB Comparaciones de la memoria RAM

Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Qimonda 72T256521EFD3SC2 2GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB Comparaciones de la memoria RAM

Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Últimas comparaciones

Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
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Memoria RAM
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-34A170X 16GB
Essencore Limited KD4AGU880-34A170X 16GB
Memoria RAM
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston 9905712-048.A00G 16GB
Kingston 9905712-048.A00G 16GB
Memoria RAM
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Kingston XW21KG-HYD-NX 8GB
Kingston XW21KG-HYD-NX 8GB
Memoria RAM
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CM4X16GC3000C15K4 16GB
Corsair CM4X16GC3000C15K4 16GB
Memoria RAM
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Memoria RAM
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
Memoria RAM
AMD R5316G1609U2K 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Memoria RAM
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Corsair CMK16GX4M2C3600C20 8GB
Corsair CMK16GX4M2C3600C20 8GB
Memoria RAM
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
Memoria RAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
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Memoria RAM
Mushkin 991988 (996988) 4GB
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Corsair CMH32GX4M2D3600C18 16GB
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Memoria RAM
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
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Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
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Memoria RAM
Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB
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GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
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