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Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB
Compara
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB
Puntuación global
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Puntuación global
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
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Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
21300
En 1.2% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
33
En -43% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
19.6
17.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
17.6
12.5
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
33
23
Velocidad de lectura, GB/s
17.8
19.6
Velocidad de escritura, GB/s
12.5
17.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
21300
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
3285
4000
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
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Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BD2SHC 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Apacer Technology GD2.1527WH.002 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMR16GX4M2E4266C19 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Kingston 9905665-011.A00G 4GB
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