RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FD 16GB
Compara
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FD 16GB
Puntuación global
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Puntuación global
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FD 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.8
16.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.5
8.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
19200
En 1.33% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FD 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
22
33
En -50% menor latencia
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FD 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
33
22
Velocidad de lectura, GB/s
17.8
16.1
Velocidad de escritura, GB/s
12.5
8.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
19200
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
3285
2646
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FD 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FD 16GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRKB 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3733C17 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Corsair CMK32GX4M4B4000C19 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4000C19 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GVK 32GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK64GX4M4B3466C16 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Kingston 99U5624-001.A00G 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMT64GX4M8X3600C18 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSEG 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Avant Technology J642GU42J5213NF 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link