RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FD 16GB
Confronto
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FD 16GB
Punteggio complessivo
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FD 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.8
16.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.5
8.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
19200
Intorno 1.33% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FD 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
22
33
Intorno -50% latenza inferiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FD 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
33
22
Velocità di lettura, GB/s
17.8
16.1
Velocità di scrittura, GB/s
12.5
8.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
25600
19200
Other
Descrizione
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
3285
2646
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FD 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Kingston 9905678-023.A00G 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Samsung M393A8K40B21-CTC 64GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Ramaxel Technology RMSA3320KE78HAF-3200 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Corsair CMW32GX4M4C3200C16 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
King Tiger Technology Tigo-2400MHz-4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston KF3200C18D4/8G 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link