RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160X 8GB
Compara
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs Essencore Limited KD48GU880-32A160X 8GB
Puntuación global
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Puntuación global
Essencore Limited KD48GU880-32A160X 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.8
17.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
21300
En 1.2% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Essencore Limited KD48GU880-32A160X 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
33
En -18% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.1
12.5
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160X 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
33
28
Velocidad de lectura, GB/s
17.8
17.5
Velocidad de escritura, GB/s
12.5
14.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
21300
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
3285
3627
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Essencore Limited KD48GU880-32A160X 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
INTENSO 4GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FADG 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston HX424C15FB/16 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Apacer Technology 78.CAGN4.4020B 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FBD 4GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link