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Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
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Kingston 9965433-034.A00LF 4GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
Puntuación global
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Puntuación global
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
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Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
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Razones a tener en cuenta
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
42
En -83% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.6
6.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.9
6.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
42
23
Velocidad de lectura, GB/s
6.4
16.6
Velocidad de escritura, GB/s
6.7
8.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1632
2631
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
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Corsair CMK16GX4M2A2800C16 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Essencore Limited KD4AGS88C-26N1900 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C19 8GB
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