RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB
Compara
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB
Puntuación global
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.8
15.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.5
11.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
19200
En 1.33% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
31
33
En -6% menor latencia
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
33
31
Velocidad de lectura, GB/s
17.8
15.8
Velocidad de escritura, GB/s
12.5
11.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
19200
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
3285
2865
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SpecTek Incorporated 16G 2666 CL 19 16GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FR 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905744-006.A00G 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Corsair CMK64GX4M4X4000C18 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17/16G 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link