RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
Compara
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
Puntuación global
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
26
En -13% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
20.4
12.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
16.5
9.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
23
Velocidad de lectura, GB/s
12.8
20.4
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
16.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2143
3810
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBR2 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMD32GX4M4A2800C16 8GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Corsair CMSO16GX4M2A2133C15 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston 9965596-019.B01G 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link