RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
Сравнить
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB против G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
26
Около -13% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20.4
12.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.5
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
23
Скорость чтения, Гб/сек
12.8
20.4
Скорость записи, Гб/сек
9.0
16.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2143
3810
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Сравнения RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FDD2 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBR 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GIS 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Kingston 9905702-400.A00G 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8X 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Kingston KF3200C20S4/32GX 32MB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link