RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
Compara
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
Puntuación global
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
21300
En 1.2% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
31
33
En -6% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
20.1
17.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
16.4
12.5
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
33
31
Velocidad de lectura, GB/s
17.8
20.1
Velocidad de escritura, GB/s
12.5
16.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
21300
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
3285
3823
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Kingston 99U5734-014.A00G 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
SK Hynix GKE160SO102408-2400 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston KHX3200C18D4/16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Heoriady M378A1K43BB2-CTD 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C16 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BUYS 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
UMAX Technology D4-2666-8GB-1024X8-L 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston 9905678-026.A00G 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMK64GX4M4C3200C16 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link