RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
Comparar
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
Pontuação geral
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Relatar um erro
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
21300
Por volta de 1.2% maior largura de banda
Razões a considerar
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
31
33
Por volta de -6% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
20.1
17.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
16.4
12.5
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
33
31
Velocidade de leitura, GB/s
17.8
20.1
Velocidade de escrita, GB/s
12.5
16.4
Largura de banda de memória, mbps
25600
21300
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
3285
3823
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBR 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston 9905678-029.A00G 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FD 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZA 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston KH2400C15D4/8 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Corsair CM4B8G1J2800K14K 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.M16FAD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-ON 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMW128GX4M8C3200C16 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CM4S16GL3200K18K2 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FJ 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link