RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
Comparar
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
Pontuação geral
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Relatar um erro
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
21300
Por volta de 1.2% maior largura de banda
Razões a considerar
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
31
33
Por volta de -6% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
20.1
17.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
16.4
12.5
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
33
31
Velocidade de leitura, GB/s
17.8
20.1
Velocidade de escrita, GB/s
12.5
16.4
Largura de banda de memória, mbps
25600
21300
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
3285
3823
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3300C16 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston 9905622-024.A00G 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Kingston XW21KG-MIE2 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Kingston 9905663-021.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M8FB1 16GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Corsair CMK16GX4M2K4333C19 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Avant Technology W642GU42J5213N 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link