RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston KHYXPX-MIE 8GB
Compara
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs Kingston KHYXPX-MIE 8GB
Puntuación global
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Puntuación global
Kingston KHYXPX-MIE 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
33
37
En 11% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.8
15
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.5
11.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
21300
En 1.2% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Kingston KHYXPX-MIE 8GB
Informar de un error
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston KHYXPX-MIE 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
33
37
Velocidad de lectura, GB/s
17.8
15.0
Velocidad de escritura, GB/s
12.5
11.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
21300
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
3285
2658
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston KHYXPX-MIE 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston KP223C-ELD 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
Samsung M378B5273DH0-CK0 4GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Kingston 9965589-013.A00G 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMV4GX4M1A2133C15 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston KHYXPX-MIE 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Kingston 9965600-027.A01G 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Wilk Elektronik S.A. W-MEM2666S416G 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link