Samsung M378B5273DH0-CK0 4GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB

Samsung M378B5273DH0-CK0 4GB vs SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB

Puntuación global
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Samsung M378B5273DH0-CK0 4GB

Samsung M378B5273DH0-CK0 4GB

Puntuación global
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SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB

SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB

Diferencias

  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    14 left arrow 11.7
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    9.0 left arrow 6.9
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    12800 left arrow 10600
    En 1.21% mayor ancho de banda
  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    39 left arrow 41
    En -5% menor latencia

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5273DH0-CK0 4GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latencia en PassMark, ns
    41 left arrow 39
  • Velocidad de lectura, GB/s
    14.0 left arrow 11.7
  • Velocidad de escritura, GB/s
    9.0 left arrow 6.9
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    12800 left arrow 10600
Other
  • Descripción
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1333 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    2204 left arrow 1659
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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