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Samsung M378B5273DH0-CK0 4GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Confronto
Samsung M378B5273DH0-CK0 4GB vs SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5273DH0-CK0 4GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378B5273DH0-CK0 4GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14
11.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.0
6.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
12800
10600
Intorno 1.21% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
39
41
Intorno -5% latenza inferiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5273DH0-CK0 4GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR3
Latenza in PassMark, ns
41
39
Velocità di lettura, GB/s
14.0
11.7
Velocità di scrittura, GB/s
9.0
6.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
10600
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2204
1659
Samsung M378B5273DH0-CK0 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology CT51264BA160B.M16F 4GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD2 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
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