RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA160B.M16F 4GB
Samsung M378B5273DH0-CK0 4GB
Confronto
Crucial Technology CT51264BA160B.M16F 4GB vs Samsung M378B5273DH0-CK0 4GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT51264BA160B.M16F 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5273DH0-CK0 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Crucial Technology CT51264BA160B.M16F 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
41
Intorno 37% latenza inferiore
Motivi da considerare
Samsung M378B5273DH0-CK0 4GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14
12.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.0
8.9
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Crucial Technology CT51264BA160B.M16F 4GB
Samsung M378B5273DH0-CK0 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR3
Latenza in PassMark, ns
26
41
Velocità di lettura, GB/s
12.7
14.0
Velocità di scrittura, GB/s
8.9
9.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
12800
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2207
2204
Crucial Technology CT51264BA160B.M16F 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FD 8GB
Samsung M378B5273DH0-CK0 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Crucial Technology CT51264BA160B.M16F 4GB
Samsung M378B5273DH0-CK0 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMT64GX4M8X3000C15 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology DDR4 2800 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160T 16GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6CFR8C
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
ACPI Digital Co. Ltd. CMA6-4FA01AAR01A00 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Apacer Technology GD2.2229BH.001 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link