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Crucial Technology CT51264BA160B.M16F 4GB
Samsung M378B5273DH0-CK0 4GB
Comparez
Crucial Technology CT51264BA160B.M16F 4GB vs Samsung M378B5273DH0-CK0 4GB
Note globale
Crucial Technology CT51264BA160B.M16F 4GB
Note globale
Samsung M378B5273DH0-CK0 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Crucial Technology CT51264BA160B.M16F 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
41
Autour de 37% latence réduite
Raisons de considérer
Samsung M378B5273DH0-CK0 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14
12.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.0
8.9
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology CT51264BA160B.M16F 4GB
Samsung M378B5273DH0-CK0 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR3
Latence dans PassMark, ns
26
41
Vitesse de lecture, GB/s
12.7
14.0
Vitesse d'écriture, GB/s
8.9
9.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
12800
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2207
2204
Crucial Technology CT51264BA160B.M16F 4GB Comparaison des RAM
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Samsung M378B5273DH0-CK0 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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