RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B2873GB0-CH9 1GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Confronto
Samsung M378B2873GB0-CH9 1GB vs Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B2873GB0-CH9 1GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378B2873GB0-CH9 1GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
35
76
Intorno -117% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.4
6.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.5
5.0
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B2873GB0-CH9 1GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR3
Latenza in PassMark, ns
76
35
Velocità di lettura, GB/s
6.8
14.4
Velocità di scrittura, GB/s
5.0
9.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
10600
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1168
2321
Samsung M378B2873GB0-CH9 1GB Confronto tra le RAM
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Samsung M378B2873FH0-CH9 1GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
Samsung M378B2873GB0-CH9 1GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Kingston MSI24D4S7D8MHMH6 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston 9905711-017.A00G 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
Kingston KF2666C16D4/16G 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Kingston KCDT82-MIE 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N190A 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Essencore Limited IM4AGU88A30-FGGHMB 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRWWK 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link