RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
zh
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M378B2873GB0-CH9 1GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

Samsung M378B2873GB0-CH9 1GB vs Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

总分
star star star star star
Samsung M378B2873GB0-CH9 1GB

Samsung M378B2873GB0-CH9 1GB

总分
star star star star star
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

差异 规格 评论

差异

Samsung M378B2873GB0-CH9 1GB 需要考虑的原因
Samsung M378B2873GB0-CH9 1GB
报告一个错误
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB 需要考虑的原因
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    35 left arrow 76
    左右 -117% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    14.4 left arrow 6.8
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    9.5 left arrow 5.0
    测试中的平均数值

规格

完整的技术规格清单
Samsung M378B2873GB0-CH9 1GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR3
  • PassMark中的延时，ns
    76 left arrow 35
  • 读取速度，GB/s
    6.8 left arrow 14.4
  • 写入速度，GB/s
    5.0 left arrow 9.5
  • 内存带宽，mbps
    10600 left arrow 10600
Other
  • 描述
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
  • 时序/时钟速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1333 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    1168 left arrow 2321

Samsung M378B2873GB0-CH9 1GB RAM的比较

Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Samsung M378B2873FH0-CH9 1GB

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB RAM的比较

Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新比较

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
内存RAM
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
内存RAM
Samsung M378B2873GB0-CH9 1GB
Samsung M378B2873GB0-CH9 1GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
内存RAM
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
内存RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
King Tiger Technology Tigo-2400MHz-8G 8GB
King Tiger Technology Tigo-2400MHz-8G 8GB
内存RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
内存RAM
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
内存RAM
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Corsair CMD16GX4M2C3333C16 8GB
Corsair CMD16GX4M2C3333C16 8GB
内存RAM
SK Hynix HMT125U6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMT125U6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
内存RAM
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
内存RAM
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FJ 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FJ 16GB
内存RAM
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston XF875V-MIH 8GB
Kingston XF875V-MIH 8GB
内存RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FJ 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FJ 8GB
内存RAM
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
内存RAM