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Samsung M378B2873GB0-CH9 1GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

Samsung M378B2873GB0-CH9 1GB vs Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

総合得点
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Samsung M378B2873GB0-CH9 1GB

Samsung M378B2873GB0-CH9 1GB

総合得点
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Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M378B2873GB0-CH9 1GB 考慮すべき理由
Samsung M378B2873GB0-CH9 1GB
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Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB 考慮すべき理由
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    35 left arrow 76
    周辺 -117% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    14.4 left arrow 6.8
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    9.5 left arrow 5.0
    テスト平均値

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M378B2873GB0-CH9 1GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR3
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    76 left arrow 35
  • 読み出し速度、GB/s
    6.8 left arrow 14.4
  • 書き込み速度、GB/秒
    5.0 left arrow 9.5
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 10600
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1333 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1168 left arrow 2321

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Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
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メモリRAM
Kingston KF552C40-16 16GB
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OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
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メモリRAM
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
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G Skill Intl F4-2400C14-16GVK 16GB
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メモリRAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
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SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
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メモリRAM
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
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Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
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SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
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