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Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Corsair CMD16GX4M2C3333C16 8GB
比较
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB vs Corsair CMD16GX4M2C3333C16 8GB
总分
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
总分
Corsair CMD16GX4M2C3333C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
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需要考虑的原因
Corsair CMD16GX4M2C3333C16 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
22
28
左右 -27% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.7
13.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.8
9.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Corsair CMD16GX4M2C3333C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
22
读取速度,GB/s
13.5
17.7
写入速度,GB/s
9.3
13.8
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2278
3117
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB RAM的比较
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Corsair CMD16GX4M2C3333C16 8GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905701-029.A00G 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/4G 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Kingston 9905700-053.A00G 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston KF3200C20S4/32GX 32MB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Kingston 99U5458-005.A01LF 4GB
Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor FLGG45F-E8K3B 8GB
Kingston 9905403-518.A00LF 8GB
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