RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
Compara
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
Puntuación global
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Puntuación global
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
33
34
En 3% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.8
15.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.5
11.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
19200
En 1.33% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
Informar de un error
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
33
34
Velocidad de lectura, GB/s
17.8
15.9
Velocidad de escritura, GB/s
12.5
11.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
19200
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
3285
2800
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
Avant Technology J642GU42J5213N1 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C18 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD2 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3600C18 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZA 8GB
A-DATA Technology DDR2 1066G 2GB
A-DATA Technology DDR3 1333+ 2GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FH1 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link