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Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
Compara
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
Puntuación global
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Puntuación global
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
33
34
En 3% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.8
15.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.5
11.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
19200
En 1.33% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
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Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
33
34
Velocidad de lectura, GB/s
17.8
15.9
Velocidad de escritura, GB/s
12.5
11.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
19200
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
3285
2800
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Apacer Technology 78.D2GG7.AU30B 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Lenovo 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Kingston 99U5713-002.A00G 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Hewlett-Packard 7EH98AA#ABB 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMR16GX4M2A2666C16 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
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