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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
Compara
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
Puntuación global
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Puntuación global
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
18
34
En 47% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.7
15.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.1
11.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
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Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
18
34
Velocidad de lectura, GB/s
17.7
15.9
Velocidad de escritura, GB/s
13.1
11.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2926
2800
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston ACR26D4U9D8ME-16 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston 9905701-017.A00G 16GB
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