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Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BZ4SHD 8GB
Compara
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BZ4SHD 8GB
Puntuación global
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Puntuación global
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BZ4SHD 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
35
39
En 10% menor latencia
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BZ4SHD 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.9
14.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.3
9.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
10600
En 2.42 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BZ4SHD 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
35
39
Velocidad de lectura, GB/s
14.4
15.9
Velocidad de escritura, GB/s
9.5
12.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
25600
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2321
2878
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BZ4SHD 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMD128GX4M8B3200C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
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