RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
Compara
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
Puntuación global
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Puntuación global
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.8
14.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.5
7.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
19200
En 1.33% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
33
En -43% menor latencia
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
33
23
Velocidad de lectura, GB/s
17.8
14.3
Velocidad de escritura, GB/s
12.5
7.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
19200
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
3285
2103
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FE 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FAR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston 9965600-027.A01G 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMK8GX4M2B3733C17 4GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Ramaxel Technology RMUA5110MH78HAF-2666 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Smart Modular SF464128CKHIWDFSEG 4GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston KY7N41-MID 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston 9905701-018.A00G 16GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link