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Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
比较
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
总分
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
总分
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.8
14.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.5
7.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
19200
左右 1.33% 更高的带宽
需要考虑的原因
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
33
左右 -43% 更低的延时
规格
完整的技术规格清单
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
33
23
读取速度,GB/s
17.8
14.3
写入速度,GB/s
12.5
7.0
内存带宽,mbps
25600
19200
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
3285
2103
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C8FP 8GB
Samsung M3 78T6553CZ3-CE6 512MB
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Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBR2 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
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Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-DA---------- 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston 9905701-029.A00G 16GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Corsair CMW32GX4M4A2666C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
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