RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Compara
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Puntuación global
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Puntuación global
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
33
35
En 6% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.8
15.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.5
10.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
21300
En 1.2% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Informar de un error
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
33
35
Velocidad de lectura, GB/s
17.8
15.2
Velocidad de escritura, GB/s
12.5
10.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
21300
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
3285
2773
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMT64GX4M4C3200C16 16GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston SMD4-S8G48HJ-26V 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 99U5712-009.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHX3200C16D4/32GX 32GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston KH280C14D4/8X 8GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
A-DATA Technology AM1P26KCST2-BABS 16GB
Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
Kingston XRMWRN-MIE2 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston XJV223-MIE-NX 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kllisre M471A3243BB0-CP50 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Apacer Technology 78.CAGN7.4000C 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link