RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Vergleichen Sie
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Gesamtnote
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Gesamtnote
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
33
35
Rund um 6% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.8
15.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
10.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
21300
Rund um 1.2% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Einen Fehler melden
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
33
35
Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.8
15.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
10.7
Speicherbandbreite, mbps
25600
21300
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
3285
2773
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMR64GX4M4C3333C16 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRGB 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHMB 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMW8GX4M1Z3600C18 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-O 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Kingston 9905711-035.A00G 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link