RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
Gesamtnote
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Gesamtnote
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
37
Rund um -42% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.5
13.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.9
8.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
37
26
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.2
14.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.4
9.9
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2143
2544
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB RAM-Vergleiche
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C16 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Apacer Technology GD2.2229BH.001 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMK16GX4M2K3600C19 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8HLSBG 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Kingston 9965662-010.A00G 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link