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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
比较
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
总分
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
总分
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
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需要考虑的原因
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
26
37
左右 -42% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.5
13.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.9
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
26
读取速度,GB/s
13.2
14.5
写入速度,GB/s
8.4
9.9
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2143
2544
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB RAM的比较
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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADM 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB
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A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FD 8GB
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Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMR32GX4M2C3333C16 16GB
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Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CMK8GX4M2B3733C17 4GB
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