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Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Compara
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Puntuación global
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Puntuación global
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
33
55
En 40% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.8
10
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.5
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
19200
En 1.33% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
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Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
33
55
Velocidad de lectura, GB/s
17.8
10.0
Velocidad de escritura, GB/s
12.5
7.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
19200
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
3285
2232
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G32S816SK 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
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