RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Porównaj
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Wynik ogólny
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
55
Wokół strony 40% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.8
10
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
55
Prędkość odczytu, GB/s
17.8
10.0
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
7.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
19200
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3285
2232
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston 9905624-016.A00G 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston MSI24D4S7D8MHMH6 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston MSI24D4S7S8S8-8 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Apacer Technology 78.CAGR4.40C0B 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C14 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link