RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB
Compara
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB
Puntuación global
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Puntuación global
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
21300
En 1.2% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
33
En -18% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.2
17.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.6
12.5
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
33
28
Velocidad de lectura, GB/s
17.8
18.2
Velocidad de escritura, GB/s
12.5
13.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
21300
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
3285
3143
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB Comparaciones de la memoria RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVK 16GB
Samsung M391B1G73BH0-CK0 8GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Apacer Technology 78.CAGPL.ARC0B 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FB 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FD1 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link