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Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB
Confronto
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB
Punteggio complessivo
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Punteggio complessivo
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
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Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
21300
Intorno 1.2% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
33
Intorno -18% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.2
17.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.6
12.5
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
33
28
Velocità di lettura, GB/s
17.8
18.2
Velocità di scrittura, GB/s
12.5
13.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
25600
21300
Other
Descrizione
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
3285
3143
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB Confronto tra le RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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