Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB

Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB vs ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB

Puntuación global
star star star star star
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB

Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB

Puntuación global
star star star star star
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB

ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB

Diferencias

  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    29 left arrow 30
    En 3% menor latencia
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    7.1 left arrow 6.1
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    11.1 left arrow 10.5
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    17000 left arrow 8500
    En 2 mayor ancho de banda

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latencia en PassMark, ns
    29 left arrow 30
  • Velocidad de lectura, GB/s
    10.5 left arrow 11.1
  • Velocidad de escritura, GB/s
    7.1 left arrow 6.1
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    8500 left arrow 17000
Other
  • Descripción
    PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    7-7-7-20 / 1066 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    1425 left arrow 1254
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Últimas comparaciones