RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB
Compara
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB vs Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB
Puntuación global
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Puntuación global
Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
38
En 24% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.2
10.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.6
7.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
8500
En 2 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
29
38
Velocidad de lectura, GB/s
10.5
14.2
Velocidad de escritura, GB/s
7.1
10.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
8500
17000
Other
Descripción
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1425
2807
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Netlist N*D1G7A2250BFD53I2 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston KHX2666C16/16G 16GB
Kingston 1G-SODIMM 1GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3600C18 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Hewlett-Packard 7EH98AA#ABB 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GVKA 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFX 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDD2 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BW8S 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link