RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
Compara
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
Puntuación global
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
26
En 12% menor latencia
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
19
13.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
17.1
8.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
23
26
Velocidad de lectura, GB/s
13.4
19.0
Velocidad de escritura, GB/s
8.0
17.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2269
4022
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZ 4GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4266 C18 Series 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C18 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Hewlett-Packard 7EH67AA# 8GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C16 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link