RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
Porównaj
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
26
Wokół strony 12% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
19
13.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.1
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
23
26
Prędkość odczytu, GB/s
13.4
19.0
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
17.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2269
4022
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD480E82-3200D 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FAD 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8XR 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston KF3600C18D4/32GX 32GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GVR 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KV0M5R-MIE 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FG 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link