RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FAR 4GB
Porównaj
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FAR 4GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FAR 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FAR 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
58
Wokół strony -152% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.8
1,950.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FAR 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
58
23
Prędkość odczytu, GB/s
4,241.0
16.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,950.7
12.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
651
2809
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FAR 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston HP26D4S9D8MJ-16 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FBD 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C16 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Avant Technology W641GU67J5213N8 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston 9905663-005.A00G 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Kingston 9905734-062.A00G 32GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FDD2 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link