RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB
Compara
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB vs G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB
Puntuación global
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
65
En 55% menor latencia
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.1
10.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.2
7.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
8500
En 2.26 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
29
65
Velocidad de lectura, GB/s
10.5
16.1
Velocidad de escritura, GB/s
7.1
8.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
8500
19200
Other
Descripción
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1425
1836
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Netlist N*D1G7A2250BFD53I2 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMW64GX4M2E3200C16 32GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Corsair CM4X16GE2400C16K4 16GB
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FJ 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Corsair CMH128GX4M4E3200C16 32GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMU32GX4M4C3400C16 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDR2 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17/16G 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Corsair CM4X4GF3000C15K4 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CM4X16GE2133C15S2 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link