RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C16 16GB
Compara
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Corsair CMK32GX4M2D3600C16 16GB
Puntuación global
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Puntuación global
Corsair CMK32GX4M2D3600C16 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
21.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,622.0
17.1
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Corsair CMK32GX4M2D3600C16 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
77
En -196% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
5300
En 3.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C16 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
77
26
Velocidad de lectura, GB/s
3,405.2
21.1
Velocidad de escritura, GB/s
2,622.0
17.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
17000
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
763
3931
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C16 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C16 16GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Corsair CMTS16GM4800A40T2 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M393A2K40BB0-CPB 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMG64GX4M2D3600C18 32GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMK8GX4M2C3000C16 4GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
Corsair CM4B4G1J2400A14K 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Crucial Technology BLE16G4D32AEEA.K16FB 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FR 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston 9905743-045.A00G 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
SK Hynix HMA81GU7AFR8N-UH 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston XF875V-HYA 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link