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Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB
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Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB vs G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB
Puntuación global
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
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Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
29
En -7% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.5
10.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
16.7
7.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
8500
En 2 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
29
27
Velocidad de lectura, GB/s
10.5
18.5
Velocidad de escritura, GB/s
7.1
16.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
8500
17000
Other
Descripción
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1425
3767
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905630-039.A00G 16GB
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SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
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