RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Compara
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB vs Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Puntuación global
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Puntuación global
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
35
En 17% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.7
10.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.1
7.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
8500
En 3.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
29
35
Velocidad de lectura, GB/s
10.5
15.7
Velocidad de escritura, GB/s
7.1
12.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
8500
25600
Other
Descripción
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1066 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1425
3045
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Netlist N*D1G7A2250BFD53I2 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FB 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston XN205T-MIE2 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
PNY Electronics PNY 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 8GB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Avant Technology W642GU42J7240N8 16GB
Kingston 9965433-406.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBD 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M8FR 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston KHX2400C14D4/16G 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/16G 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link