RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Vergleichen Sie
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB vs Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Gesamtnote
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Gesamtnote
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
35
Rund um 17% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.7
10.5
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.1
7.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
8500
Rund um 3.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
29
35
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.5
15.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.1
12.1
Speicherbandbreite, mbps
8500
25600
Other
Beschreibung
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1066 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1425
3045
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB RAM-Vergleiche
Netlist N*D1G7A2250BFD53I2 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FHD 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GVK 32GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMK16GX4M1B3000C15 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C
Kingston 9905744-006.A00G 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GFX 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Kingston 9905704-007.A00G 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G36S8KBNRGB18 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZN 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link