RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C-H9 2GB
Kingston 9905744-006.A00G 16GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C-H9 2GB vs Kingston 9905744-006.A00G 16GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C-H9 2GB
Gesamtnote
Kingston 9905744-006.A00G 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C-H9 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
34
Rund um 24% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 9905744-006.A00G 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.7
12.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.0
7.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C-H9 2GB
Kingston 9905744-006.A00G 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
26
34
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.3
14.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.4
12.0
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1678
2900
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C-H9 2GB RAM-Vergleiche
SK Hynix HMT325U6CFR8C-H9 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Kingston 9905744-006.A00G 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C
Kingston 9905744-006.A00G 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston 9905702-135.A00G 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology BL32G36C16U4B.M16FB1 32GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CM4X8GD3200C16K4 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMK8GX4M2C3000C16 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 9965596-023.B01G 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston 9905700-047.A00G 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZRA 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZN 32GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link