RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C-H9 2GB
Kingston 9905744-006.A00G 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C-H9 2GB vs Kingston 9905744-006.A00G 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C-H9 2GB
Wynik ogólny
Kingston 9905744-006.A00G 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C-H9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
34
Wokół strony 24% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Kingston 9905744-006.A00G 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.7
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
7.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C-H9 2GB
Kingston 9905744-006.A00G 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
34
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
14.7
Prędkość zapisu, GB/s
7.4
12.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1678
2900
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C-H9 2GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT325U6CFR8C-H9 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Kingston 9905744-006.A00G 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M378B5673GB0-CH9 2GB
Corsair CMT32GX5M2B5200C40 16GB
Kingston KF560C40-16 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston CBD24D4S7S8ME-8 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FADP 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link