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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C-H9 2GB
Kingston 9905744-006.A00G 16GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C-H9 2GB vs Kingston 9905744-006.A00G 16GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C-H9 2GB
Pontuação geral
Kingston 9905744-006.A00G 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C-H9 2GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
34
Por volta de 24% menor latência
Razões a considerar
Kingston 9905744-006.A00G 16GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.7
12.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.0
7.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C-H9 2GB
Kingston 9905744-006.A00G 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
26
34
Velocidade de leitura, GB/s
12.3
14.7
Velocidade de escrita, GB/s
7.4
12.0
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1678
2900
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C-H9 2GB Comparações de RAM
SK Hynix HMT325U6CFR8C-H9 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Kingston 9905744-006.A00G 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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