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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C-H9 2GB
Kingston 9905744-006.A00G 16GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C-H9 2GB vs Kingston 9905744-006.A00G 16GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C-H9 2GB
Puntuación global
Kingston 9905744-006.A00G 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C-H9 2GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
34
En 24% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Kingston 9905744-006.A00G 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.7
12.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.0
7.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C-H9 2GB
Kingston 9905744-006.A00G 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
34
Velocidad de lectura, GB/s
12.3
14.7
Velocidad de escritura, GB/s
7.4
12.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1678
2900
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
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Apacer Technology D22.23263S.002 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRGB 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3466C16 8GB
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