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Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Compara
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB vs Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Puntuación global
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Puntuación global
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
33
En 12% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.1
10.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.9
7.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
8500
En 2.51 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
29
33
Velocidad de lectura, GB/s
10.5
15.1
Velocidad de escritura, GB/s
7.1
11.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
8500
21300
Other
Descripción
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1425
3224
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
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Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Kingston 99U5701-049.A00G 16GB
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Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
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